參數(shù)資料
型號： IRF1405
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 5.3mohm，身份證\u003d 169A條）
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： IRF1405
IRF1405
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
60
Q , Total Gate Charge (nC)
120
180
240
300
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
101A
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1407L Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, Id = 100A)
IRF1407S Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, Id = 100A)
IRF1407STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
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參數(shù)描述
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IRF1405S 功能描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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