參數(shù)資料
型號： IRF1405
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 5.3mohm，身份證\u003d 169A條）
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： IRF1405
IRF1405
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關PDF資料
PDF描述
IRF1407L Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, Id = 100A)
IRF1407S Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, Id = 100A)
IRF1407STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF1405PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405S 功能描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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