參數(shù)資料
型號： IRF7338
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF7338
www.irf.com
3
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
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ID
1.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
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4.0V
3.5V
3.0V
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2.0V
BOTTOM 1.5V
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
1.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP 7.5V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.7V
2.0V
BOTTOM 1.5V
1.0
2.0
3.0
4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 10V
20μs PULSE WIDTH
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7341 HEXFET Power MOSFET
IRF7342D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7342PBF HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105ヘ)
IRF7350PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7353D2PBF MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029ヘ , Schottky VF = 0.52V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7338PBF 功能描述:MOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7338TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 12V 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF733FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF733R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
IRF734 功能描述:MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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