參數(shù)資料
型號(hào): IRF7422D2
廠商: International Rectifier
英文描述: Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述: 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管(同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管)
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大小: 132K
代理商: IRF7422D2
IRF7422D2
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Power Mosfet Characteristics
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE W IDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-1.5V
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-DS
VGS
-1.5V
0.1
1
10
100
1.5
2.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -15V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
I = -3.6A
V = -4.5V
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PDF描述
IRF7424PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF7422D2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7423TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件