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參數(shù)資料
| 型號： | IRF7422D2 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管) |
| 中文描述： | 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | IRF7422D2 |
IRF7422D2
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
R EC OMM EN D ED FOOTPR INT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0098 0.19 0.25
D .189 .196 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0° 8°
N OTES :
1. D IME NS ION IN G A ND TOLE RA N C IN G PE R A N SI Y 14.5M-1982.
2. C ONTR OLLIN G DIME NS ION : IN CH .
3. D IME NS ION S AR E S H OW N IN MILLIME TER S (IN C H ES ).
4. OU TLIN E C ON FOR MS TO JE D EC OU TLIN E M S-012A A.
D IM EN SION D OE S N OT IN CLU DE MOLD P R OTR U SION S
M OLD PR OTRU S ION S N OT TO E XC EE D 0.25 (.006).
D IM EN SION S IS TH E LEN GTH OF LE AD FOR S OLD ER IN G TO A S UB S TR A TE ..
6
5
A1
e1
θ
Part Marking
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7424PBF | HEXFET Power MOSFET |
| irf7424 | Ultra Low On-Resistance |
| IRF7457PBF | General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP; with ADC Present |
| IRF7458PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7470PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7422D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7422D2PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7422D2TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7422D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7423TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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