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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7422D2 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管) |
| 中文描述： | 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | IRF7422D2 |
IRF7422D2
8
www.irf.com
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CO NTRO LLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFO RMS TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIRECTION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Tape and Reel
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 221 8371
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice.8/98
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF7422D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7423TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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