參數(shù)資料
型號： IRF7534D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述： 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRF7534D1
IRF7534D1
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-1.50V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-1.50V
1
10
100
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
20μs PULSE WIDTH
V = -15V
DS
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
I
V
=
=
GS
D
-4.5V
-4.3A
Power MOSFET Characteristics
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PDF描述
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參數(shù)描述
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