參數(shù)資料
型號： IRF7534D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述： 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 106K
代理商： IRF7534D1
IRF7534D1
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0
3
6
9
12
15
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-4.3A
V
=-10V
DS
0.1
1
10
100
0.0
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
0
400
800
1200
1600
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
V
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
Power MOSFET Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7555 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場效應(yīng)管)
IRF7726 Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF7751 RES 8K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
IRF7752 Dual N-Channel MOSFET(雙 N溝道 MOS場效應(yīng)管)
IRF7754 Power MOSFET(Vdss=-12V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7534D1PBF 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7534D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7555 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8
IRF7555HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRF7555PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*