參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7534D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述： 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 106K
代理商： IRF7534D1
IRF7534D1
www.irf.com
7
Package Outline
Micro8
Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A
0.10 (.004)
0.25 (.010) M A M
H
1 2 3 4
8 7 6 5
D
- B -
3
3
E
- A -
e
6X
e 1
- C -
B 8X
0.08 (.003) M C A S B S
A 1
L
8X
C
8X
θ
NO TES :
1 D IM EN S IO NING AN D TO LE RAN C IN G PE R A N SI Y14.5M -1982.
2 C ON TRO LLING DIME N SIO N : INC H .
3 D IM EN S IO NS DO NO T INCLUD E M O LD F LASH .
A .036 .044 0.91 1.11
A1 .004 .008 0.10 0.20
B .010 .014 0.25 0.36
C .005 .007 0.13 0.18
D .116 .120 2.95 3.05
e .0256 BASIC 0.65 BASIC
e1 .0128 BASIC 0.33 BASIC
E .116 .120 2.95 3.05
H .188 .198 4.78 5.03
L .016 .026 0.41 0.66
θ
0° 6° 0° 6°
DIM
LEAD ASSIGNMENTS
SINGLE
DUAL
D D D D
D1 D1 D2 D2
S S S G
S1 G1 S2 G2
1 2 3 4
1 2 3 4
8 7 6 5
8 7 6 5
RECOMMENDED FOOTPRINT
1.04
( .041 )
8X
0.38
3.20
( .126 )
4.24
( .167 )
5.28
( .208 )
0.65
Micro8
Part Marking Information
PART NUMBER
451
7501
TOP
EXAMPLE : THIS IS AN IRF7501
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF YEAR
W W = W EEK
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7555 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF7726 Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF7751 RES 8K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7534D1PBF 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7534D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7555 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8
IRF7555HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRF7555PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8
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