參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7752
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual N-Channel MOSFET(雙 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 雙N溝道MOSFET（馬鞍山雙?溝道場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IRF7752
IRF7752
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 0.91A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 0.91A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
25
23
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
37
0.91
A
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.030 –––
–––
––– 0.030
–––
––– 0.036
0.60
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
–––
2.5
–––
2.6
–––
7.2
–––
9.1
–––
25
–––
11
–––
861
–––
210
–––
25
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.6A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 4.6A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -12V
V
GS
= 12V
I
D
= 4.6A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 15V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
20
100
-200
200
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
S
D
G
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PDF描述
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IRF7752TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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