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參數(shù)資料
| 型號： | IRF7752 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Dual N-Channel MOSFET(雙 N溝道 MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 雙N溝道MOSFET（馬鞍山雙?溝道場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRF7752 |
IRF7752
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
ID
2.3V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.3V
0.01
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
2.3V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
3.3V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.3V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
4.6A
1
10
100
2.0
2.3
V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.7
3.0
3.3
3.7
4.0
20μs PULSE WIDTH
V = 15V
DS
I
D
T = 150 C
°
T = 25 C
°
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