參數(shù)資料
型號： IRFI9Z34N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： P通道直鉛HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRFI9Z34N
IRFI9Z34N
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
Tc
T
J
= 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
T
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -25V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120
140 160
180
R
D
(
A
V = -10V
I = -17A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB41N15D HEXFET Power MOSFET
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI9Z34NPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N50L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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