參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI9Z34N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道直鉛HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： IRFI9Z34N
IRFI9Z34N
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
T , Case Temperature
(°
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB41N15D HEXFET Power MOSFET
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
IRFI9Z34NPBF 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15D 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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IRFIB5N50L 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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