參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI9Z34N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道直鉛HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： IRFI9Z34N
IRFI9Z34N
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -10A
V = -44V
V = -28V
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
200
400
600
800
1000
1200
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB41N15D HEXFET Power MOSFET
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI9Z34NPBF 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15D 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFIB41N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N50L 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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