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參數(shù)資料
| 型號： | IRFNG50 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET N溝道（BVdss \u003d 1000V的的Rds（on）\u003d 2.0ohm，身份證\u003d 5.5A） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | IRFNG50 |
IRFNG50 Device
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
PEAK IL= 5.5A
VDD = 50V
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T= P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
(THSINGLE PULSE
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFNG50SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 5.5A 3SMD-1 - Bulk |
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