參數(shù)資料
型號： IRFU220NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 233K
代理商： IRFU220NPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
2.9A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220PBF HEXFEP Power MOSFET
IRFU2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFR2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFU2407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
IRFR2407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU220PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU220S2497 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU221 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU222 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU224 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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