參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU220NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： IRFU220NPBF
6
www.irf.com
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
1.2A
2.1A
2.9A
TOP
BOTTOM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220PBF HEXFEP Power MOSFET
IRFU2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFR2405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A)
IRFU2407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
IRFR2407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU220PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU220S2497 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU221 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU222 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU224 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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