- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377513 > IRFU220NPBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFU220NPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | IRFU220NPBF |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
#
!""
$ $
%&
' (
%)
$
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU220PBF | HEXFEP Power MOSFET |
| IRFU2405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A) |
| IRFR2405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A) |
| IRFU2407 | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A) |
| IRFR2407 | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU220PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU220S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFU221 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFU222 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFU224 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。