參數(shù)資料
型號： IRG4RC20F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.82V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRG4RC20F
IRG4RC20F
2
www.irf.com
Parameter
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Collector Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
Min. Typ. Max. Units
600
—
18
—
—
0.72
—
1.82
—
2.42
—
2.04
3.0
—
—
-11
5.2
7.75
—
—
—
—
—
—
—
—
Conditions
V
(BR)CES
V
(BR)ECS
—
—
—
2.1
—
—
6.0
—
—
250
2.0
1000
±100
V
V
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0A
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 12A V
GE
= 15V
I
C
= 22A
I
C
= 12A , T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
mV/°C V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
S
V
CE
= 100V, I
C
= 12A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V, T
J
= 25°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
nA
V
GE
= ±20V
V/°C
V
CE(ON)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
See Fig.2, 5
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
g
fe
Forward Transconductance
Gate Threshold Voltage
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
Parameter
Total Gate Charge (turn-on)
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Gate - Collector Charge (turn-on)
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Switching Loss
Internal Emitter Inductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Min. Typ. Max. Units
—
27
—
4.8
—
11.4
—
26
—
24
—
194
—
226
—
0.19
—
0.92
—
1.11
—
25
—
26
—
263
—
443
—
1.89
—
7.5
—
540
—
37
—
7.0
Conditions
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
ts
L
E
C
ies
C
oes
C
res
Notes:
40
6.8
17
—
—
290
340
—
—
1.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
C
= 12A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
nC
See Fig. 8
T
J
= 25°C
I
C
= 12A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail"
See Fig. 9, 10, 14
mJ
T
J
= 150°C,
I
C
= 12A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail"
See Fig. 11, 14
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
= 1.0MHz
mJ
nH
pF
See Fig. 7
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
μA
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
ns
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
Repetitive rating; V
GE
= 20V, pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 13b )
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V, L = 10μH, R
G
= 50
,
(See fig. 13a)
Repetitive rating; pulse width limited by maximum
junction temperature.
Pulse width 5.0μs, single shot.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRG4RC20FTR 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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