參數(shù)資料
型號: IRG4RC20F
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.82V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 12A條)
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文件大小: 264K
代理商: IRG4RC20F
IRG4RC20F
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
480V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 480V
R
L
=
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
1
10
100
1
10
100
1000
T = 125 C
V = 20V
o
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
5
10
I , Collector Current (A)
15
20
25
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
V = 480V
V = 15V
R = 50Ohm
T = 150 C
J
°
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PDF描述
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