參數(shù)資料
型號: IRG4RC20F
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.82V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 12A條)
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代理商: IRG4RC20F
IRG4RC20F
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
6
8
10
12
14
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
5μs PULSE WIDTH
V = 50V
CC
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0
10
20
30
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 15W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1
2
3
4
5
CE
V
C
I
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
V
20μs PULSE WIDTH
= 15V
GE
A
T = 25°C
J
T = 150°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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