參數(shù)資料
型號： IS42S81600A-7TLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 13/65頁
文件大?。?/td> 556K
代理商： IS42S81600A-7TLI
ISSI
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
Parameter
TestCondition
Speed
Min.
Max.
Unit
IDD5
Auto-RefreshCurrent
tRC=tRC(MIN)
CASlatency=3
Com.
-7
—
330
mA
Ind.
-7
—
350
mA
Com.
-10
—
300
mA
Ind.
-10
—
330
mA
CASlatency=2
Com.
-7
—
330
mA
Ind.
-7
—
350
mA
Com.
-10
—
300
mA
Ind.
-10
—
330
mA
IDD6
Self-RefreshCurrent
CKE
≤0.2V,tCSR=00
PASR=000(full)
ts < 70OC
—
0.35
mA
PASR=001(2BK)
—
0.25
mA
PASR=010(1BK)
—
0.18
mA
PASR=101(1/2BK)
—
0.12
mA
PASR=110(1/4BK)
—
0.09
mA
IDD6
Self-RefreshCurrent
CKE
≤0.2V,,tCSR=01
PASR=000(full)
ts < 45OC
—
0.20
mA
PASR=001(2BK)
—
0.15
mA
PASR=010(1BK)
—
0.10
mA
PASR=101(1/2BK)
—
0.08
mA
PASR=110(1/4BK)
—
0.07
mA
IDD6
Self-RefreshCurrent
CKE
≤0.2V,,tCSR=11
PASR=000(full)
ts < 85OC
—
0.60
mA
PASR=001(2BK)
—
0.50
mA
PASR=010(1BK)
—
0.43
mA
PASR=101(1/2BK)
—
0.37
mA
PASR=110(1/4BK)
—
0.34
mA
IDD7
StandbyCurrent in
CKE
≤0.2V
—
10
A
DeepPowerDownMode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V433 32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs
IDT71V65602 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BG 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BGI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V35781 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
IS42S81600AL-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S81600B-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600B-7TI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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