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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600A-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 55/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | IS42S81600A-7TLI |
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ISSI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
PIN CONFIGURATIONS
90-Ball FBGA for x32
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
I/O26
I/O28
VssQ
VDDQ
Vss
A4
A7
CLK
DQM1
VDDQ
VssQ
I/O11
I/O13
I/O24
VDDQ
I/O27
I/O29
I/O31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
I/O8
I/O10
I/O12
VDDQ
I/O15
Vss
VssQ
I/O25
I/O30
NC
A3
A6
NC
A9
NC
Vss
I/O9
I/O14
VssQ
Vss
VDD
VDDQ
I/O22
I/O17
NC
A2
A10
NC/A12
BA0
CAS
VDD
I/O6
I/O1
VDDQ
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I/O23
Vss
I/O20
I/O18
I/O16
DQM2
A0
BA1
CS
WE
I/O7
I/O5
I/O3
VssQ
I/O0
I/O21
I/O19
VDDQ
Vss
VDD
A1
A11
RAS
DQM0
VssQ
VDDQ
I/O4
I/O2
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
I/O0 to I/O31
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
DQM0-DQM3
x32 Input/Output Mask
VDD
Power
Vss
Ground
VDDQ
Power Supply for I/O Pin
VssQ
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V433 | 32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs |
| IDT71V65602 | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V65602S-100BG | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V65602S-100BGI | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V35781 | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600AL-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S81600B-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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