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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 24/47頁 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6T |
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24
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
ISSI
IS43R16800A-6
CK
/CK
DQS
VTT
VTT
VTT
VTT
DQ
DQS
DQ
CL = 2
CL = 2.5
Command
t0
t0.5
t1
t1.5
t2
t2.5
t3
t3.5
t4
t4.5
t5
t5.5
out0
out1
out2
out3
out0
out1
out2
out3
tRPST
tRPRE
tRPST
tAC,tDQSCK
READ
NOP
tRPRE
tAC,tDQSCK
Read Operation (/CAS Latency)
Write operation
The burst length (BL) and the burst type (BT) of the mode register are referred when a write command is issued.
The burst length (BL) determines the length of a sequential data input by the write command that can be set to 2, 4,
or 8. The latency from write command to data input is fixed to 1. The starting address of the burst read is defined by
the column address, the bank select address which are loaded via the A0 to A11, BA0 to BA1 pins in the cycle when
the write command is issued. DQS should be input as the strobe for the input-data and DM as well during burst
operation. tWPRE prior to the first rising edge of the DQS should be set to Low and tWPST after the last falling edge
of the data strobe can be set to High-Z. The leading low period of DQS is referred as write preamble. The last low
period of DQS is referred as write postamble.
in1
in0
in1
in2
in3
in0
in1
in2
in3
in4
in5
in6
in7
CK
/CK
Address
DQS
DQ
BL = 2
BL = 4
BL = 8
Command
BL: Burst length
t1
t0
tn tn+0.5 tn+1
tn+2
tn+3
tn+4
tn+5
in0
ACT
NOP
NOP
NOP
WRITE
tWPRE
tWPRES
Row
Column
tRCD
tWPST
Write Operation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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