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參數資料
| 型號： | IS43R16800A-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數： | 29/47頁 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
29
ISSI
IS43R16800A-6
A Write command to the consecutive Write command Interval
Destination row of the consecutive write
command
Bank
address
Row address State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
The consecutive write can be performed after an interval of no less than 1 cycle to
interrupt the preceding write operation.
Precharge the bank to interrupt the preceding write operation. tRP after the
precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command, the
consecutive write command can be issued. See ‘A write command to the
consecutive precharge interval’ section.
The consecutive write can be performed after an interval of no less than 1 cycle to
interrupt the preceding write operation.
Precharge the bank without interrupting the preceding write operation. tRP after
the precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command,
the consecutive write command can be issued.
2. Same
Different
—
3. Different
Any
ACTIVE
IDLE
inA0 inA1 inB0 inB1 inB2 inB3
CK
/CK
Address
BA
DQ
Command
t0
tn+1
tn
tn+2
tn+3
tn+4
tn+5
tn+6
Bank0
Active
BL = 4
Bank0
NOP
DQS
ACT
NOP
WRIT
Row
Column A
WRIT
Column B
Column = A
Write
Column = B
Write
WRITE to WRITE Command Interval (same ROW address in the same bank)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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