參數(shù)資料
型號： IS43R16800A-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 5/47頁
文件大?。?/td> 473K
代理商： IS43R16800A-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/04/06
5
ISSI
IS43R16800A-6
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
, V
REF
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
T
STG
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage, Reference Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
Storage Temperature
–1.0 to +3.6
–1.0 to +3.6
–1.0 to +3.6
1
50
0 to +70
–55 to +125
V
V
V
W
mA
°C
°C
MAX
Com.
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods
may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS (SSTL_2 Input/Output, T
A
= 0
o
C to +70
o
C)
Symbol
V
DD
V
DDQ
(1)
V
TT
V
IH
(2)
V
IL
(3)
V
REF
V
IN
(DC)
(4)
Parameter
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
I/O Termination Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
I/O Reference Voltage
Input Voltage Level for
CK and
CK
Crossing Point Voltage
Level for CK and
CK
Input Differential Voltage
Level for CK and
CK
Input Leakage Current
Test Condition
Min
2.3
2.3
Typ.
2.5
2.5
V
REF
—
—
0.5 x V
DDQ
—
Max
2.7
2.7
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
- 0.3
0.49 x V
DDQ
-0.3
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
0.51 x V
DDQ
V
DDQ
+ 0.3
V
IX
(DC)
0.5 x V
DDQ
- 0.2
0.5 x V
DDQ
0.5 x V
DDQ
+ 0.2
V
V
ID
(DC)
(5,6)
0.36
—
V
DDQ
+ 0.6
V
I
IL
0
≤
V
IN
≤
V
DD
, with all inputs
at V
SS
, except tested input
Output disabled;
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
I
OH
= -15.2mA
-2
—
2
μA
I
OL
Output Leakage Current
-5
—
5
μA
V
OH
Output High Voltage
Level
Output Low Voltage
Level
V
TT
+ 0.76
—
—
V
V
OL
I
OL
= +15.2mA
—
—
V
REF
- 0.76
V
Note:
1. V
DDQ
must always be less than or equal to V
DD
.
2. V
IH
is allowed to exceed V
DD
up to 3.6V for the period shorter than or equal to 5ns.
3. V
IL
is allowed to drop to -1.0V for the period shorter than or equal to 5ns.
4. V
IN
(DC) specifies the allowable DC execution of each differential input.
5. V
ID
(DC) specifies the input differential voltage required for switching.
6. V
IH
for CK or
CK
> V
REF
+ 0.18V; V
IL
for CK or
CK
< V
REF
- 0.18V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
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