- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377552 > IS43R16800A-6T (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 38/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁當(dāng)前第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
38
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
ISSI
IS43R16800A-6
Bank active command interval
Destination row of the consecutive ACT
command
Bank
address
Row address
State
Operation
Two successive ACT commands can be issued at tRC interval. In between two
successive ACT operations, precharge command should be executed.
Precharge the bank. tRP after the precharge command, the consecutive ACT
command can be issued.
1. Same
Any
ACTIVE
2. Different
Any
ACTIVE
IDLE
tRRD after an ACT command, the next ACT command can be issued.
CK
/CK
Command
BA
tRC
Address
ACTV
tRRD
Bank0
Active
Bank3
Active
Bank0
Precharge
Bank0
Active
PRE
ACT
ROW: 0
NOP
NOP
NOP
ACT
ROW: 1
ROW: 0
Bank Active to Bank Active
Mode register set to Bank-active command interval
The interval between setting the mode register and executing a bank-active command must be no less than tMRD.
CK
/CK
Command
Address
NOP
NOP
MRS
ACT
tMRD
Mode Register Set
Bank3
Active
CODE
BS and ROW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。