- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377552 > IS43R16800A-6T (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 33/47頁 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IS43R16800A-6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
33
ISSI
IS43R16800A-6
A Write command to the consecutive Read command interval: To interrupt the write operation
Destination row of the consecutive read
command
Bank
address
DM must be input 1 cycle prior to the read command input to prevent from being
written invalid data. In case, the read command is input in the next cycle of the
write command, DM is not necessary.
—*
1
Row address State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
2. Same
Different
—
3. Different
Any
ACTIVE
DM must be input 1 cycle prior to the read command input to prevent from being
written invalid data. In case, the read command is input in the next cycle of the
write command, DM is not necessary.
—*
1
IDLE
Note: 1. Precharge must be preceded to read command. Therefore read command can not interrupt the write
operation in this case.
WRITE to READ Command Interval (Same bank, same ROW address)
in0
in1
in2
out0 out1 out2 out3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS
CL=2
Data masked
1 cycle
READ
NOP
WRIT
High-Z
High-Z
[WRITE to READ delay = 1 clock cycle]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A1-5TL | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800C-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800C-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800CC-5TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。