參數(shù)資料
型號： IS43R32400A
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 4Meg × 32的128 - Mbit DDR SDRAM內(nèi)存
文件頁數(shù)： 9/25頁
文件大?。?/td> 1295K
代理商： IS43R32400A
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00D
02/15/06
9
ISSI
IS43R32400A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
, V
REF
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage, Reference Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.3 to +3.6
0.3 to +3.6
–0.3 to V
DDQ
+ 0.3
–0.3 to V
DDQ
+ 0.3
2
50
0 to +70
–40 to +85
–55 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 2.5V, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
IN1
C
IN2
C
IN
3
C
OUT
Input Capacitance: Address, B0, B1
Input Capacitance:All other input pins
Data Mask Input/Output Capacitance: DM0
-
DM3
Data Input/Output Capacitance: DQ and DQS
4
3
6
6
5
5
8
8
pF
pF
pF
pF
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods
may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS (SSTL_2 Input/Output, T
A
= 0
o
C to +70
o
C)
Symbol
V
DD
V
DDQ
V
TT
V
IH
V
IL
V
REF
I
IL
Parameter
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
I/O Termination Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
I/O Reference Voltage
Input Leakage Current
Test Condition
Min
2.375
2.375
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
V
SSQ
- 0.3
0.49 x V
DDQ
-5
Typ.
2.500
2.500
V
REF
—
—
0.5 x V
DDQ
—
Max
2.625
2.625
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
- 0.15
0.51 x V
DDQ
5
0
≤
V
REF
≤
V
DD
, with all inputs
at V
SS
, except tested input
I
OL
Output Leakage Current Output disabled;
-5
—
5
μA
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
I
OH
= -15.2mA
V
OH
Output High Voltage
Level
Output Low Voltage
Level
V
TT
+ 0.76
—
—
V
V
OL
I
OL
= +15.2mA
—
—
V
REF
- 0.76
V
Note:
1. V
DDQ
must always be less than or equal to V
DD
.
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PDF描述
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IS43R32400A-5BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32400A-5B-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 2.5v 4Mx32 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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