參數(shù)資料
型號(hào)： IS64WV102416BLL-10TA3
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述： 1M X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 9/21頁
文件大小： 134K
代理商： IS64WV102416BLL-10TA3
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
02/13/06
9
ISSI
IS61WV102416ALL
IS61WV102416BLL
IS64WV102416BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
t
PU
t
PD
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or ess, timing reference evels of 1.5V, nput pulse evels of 0V to 3.0V and output oading
specified n Figure 1.
2. Tested with the oad n Figure 2. Transition s measured ±500 mV from steady-state voltage.
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Hold Time
CE
Access Time
OE
Access Time
OE
to High-Z Output
OE
to Low-Z Output
CE
to High-Z Output
CE
to Low-Z Output
LB
,
UB
Access Time
LB
,
UB
to High-Z Output
LB
,
UB
to Low-Z Output
Power Up Time
Power Down Time
Min.
8
—
2.5
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
Max.
—
8
—
8
5.5
3
—
3
—
5.5
3
—
—
8
Min.
10
—
2.5
—
—
—
0
0
3
—
0
0
0
—
Max.
—
10
—
10
6.5
4
—
4
—
6.5
3
—
—
10
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS64WV12816BLL 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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