參數(shù)資料
型號: IS64WV20488BLL-10TA3
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù): 16/20頁
文件大?。?/td> 126K
代理商: IS64WV20488BLL-10TA3
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00C
01/09/06
ISSI
IS61WV20488ALL
IS61WV20488BLL
IS64WV20488BLL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CE
Controlled)
V
DD
CE
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
1.65V
1.4V
Data Retention Mode
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CE
V
DD
– 0.2V
1.2
3.6
V
I
DR
Data Retention Current
Ind.
Auto.
typ.
(1)
25
60
3
mA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
ns
Note:
1. Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
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IS64WV25616BLL-10CTLA3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M (256Kx16) 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M (256Kx16) 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray