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參數(shù)資料
| 型號： | IS64WV20488BLL-10TA3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 7/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | IS64WV20488BLL-10TA3 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00C
01/09/06
7
ISSI
IS61WV20488ALL
IS61WV20488BLL
IS64WV20488BLL
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
-20
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
Com.
Ind.
Auto.
typ.
(2)
—
—
—
120
125
—
—
—
—
95
100
140
—
—
—
90
100
140
mA
60
I
CC
1
Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
—
—
—
35
35
—
—
—
—
30
40
60
—
—
—
30
40
70
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
—
—
—
30
35
—
—
—
—
30
35
70
—
—
—
30
35
70
mA
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
V
DD
= Max.,
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V
, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
typ.
(2)
—
—
—
20
25
—
—
—
—
20
25
70
—
—
—
15
20
70
mA
4
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS64WV3216BLL | 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV3216BLL-15BA3 | 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV3216BLL-15BLA3 | 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV3216BLL-15TA3 | 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV3216BLL-15TLA3 | 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS64WV25616BLL/BLS | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM |
| IS64WV25616BLL-10BLA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb, 256Kx16, 8ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS64WV25616BLL-10BLA3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb, 256Kx16, 8ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS64WV25616BLL-10CTLA3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M (256Kx16) 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M (256Kx16) 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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