參數(shù)資料
型號(hào): IS64WV20488BLL-10TA3
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù): 8/20頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商: IS64WV20488BLL-10TA3
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00C
01/09/06
ISSI
IS61WV20488ALL
IS61WV20488BLL
IS64WV20488BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or ess, timing reference evels of 1.5V, nput pulse evels of 0V to 3.0V and output oading
specified n Figure 1.
2. Tested with the oad n Figure 2. Transition s measured ±500 mV from steady-state voltage.
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Hold Time
CE
Access Time
OE
Access Time
OE
to High-Z Output
OE
to Low-Z Output
CE
to High-Z Output
CE
to Low-Z Output
Power Up Time
Power Down Time
Min.
8
2
0
0
3
0
Max.
8
8
5.5
3
3
8
Min.
10
2
0
0
3
0
Max.
10
10
6.5
4
4
10
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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PDF描述
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