參數(shù)資料
型號： IXFA4N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： IXFA4N100Q
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFA 4N100Q
IXFP 4N100Q
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
1
2
3
4
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
1
2
3
4
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
GS
- Volts
3
4
5
6
7
8
I
D
0
1
2
3
4
I
D
- Amperes
0
1
2
3
4
5
6
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7V
6V
VGS = 10V
VGS = 10V
9V
8V
TJ
= 25
°
C
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
5V
5V
TJ = 25
°
C
T
J
= 125
°
C
6V
7V
5V
6V
7V
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 125OC
VGS = 10V
ID = 2A
TJ = 25OC
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. Output characteristics at 125 C
Figure 6. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFC15N80Q HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface
IXFC24N50 HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC26N50 HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
IXFC52N30P PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
IXFC80N10 HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFA4N100Q_11 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q-TRL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXFA4N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFA5N100P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFA5N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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