參數(shù)資料
型號： IXFA4N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： IXFA4N100Q
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFA 4N100Q
IXFP 4N100Q
T
C
- Degrees Centigrade
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
1
2
3
4
5
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
C
10
100
1000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
2
4
6
8
10
Gate Charge - nC
0
10
20
30
40
50
60
V
G
0
3
6
9
12
15
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 600 V
I
D
= 3 A
I
G
= 10 mA
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
60
2000
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure10. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Resistance
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PDF描述
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IXFC24N50 HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220
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參數(shù)描述
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IXFA4N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFA5N100P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFA5N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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