參數(shù)資料
型號(hào)： IXSP10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXSP10N60B2D1
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 10A, V
GE
= 0 V
T
J
=150
°
C
1.66
2.66
V
V
A
I
RM
I
F
= 12A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
s T
J
= 100
°
C
t
rr
V
R
= 100 V
1.5
90
T
J
= 100
°
C
ns
t
rr
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/
μ
s; V
R
= 30 V
R
thJC
Note 1:
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
25
ns
2.5 K/W
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
I
C
= 10A; V
CE
= 10 V, Note 1
2.0
3.6
S
C
ies
C
oes
C
res
400
50
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz
11
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
17
nC
nC
nC
I
C
= 10A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
6
7.5
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
30
ns
30
ns
ns
ns
μ
J
180
165
430
750
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
30
30
ns
ns
mJ
0.32
260
270
790
ns
ns
μ
J
R
thJC
R
thCS
1.25 K/W
TO-220
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= 10A, V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
, R
= 30
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
, R
= 30
Switching times may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or increased R
G
TO-220 AB (IXSP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
TO-263 (IXSA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSH10N120AU1 IGBT with Diode
IXSH10N60 High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH10N60A High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH15N120A IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP2N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
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