參數(shù)資料
型號： IXSP10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXSP10N60B2D1
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
6,710,405B2
6,583,505
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Fig. 20. Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 19. Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 18. Forward current I
F
versus V
F
Fig. 21. Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 22. Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 23. Peak forward voltage V
FR
and
t
fr
versus di
F
/dt
Fig. 24. Transient thermal resistance junction-to-case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1.449
0.5578
0.4931
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0169
1
2
3
NOTE: Fig. 19 to Fig. 23 shows typical values
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
μ
s
40
60
80
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
μ
s
1000
0
20
40
60
0.0
0.1
0.2
0.3
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
μ
s
0
2
4
6
8
10
A
100
1000
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
I
RM
Q
r
I
F
A
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
μ
s
μ
s
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 100°C
T
VJ
= 25°C
I
RM
Q
r
V
FR
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
DSEP 8-06B
t
fr
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
VJ
= 100°C
I
F
= 10 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSH10N120AU1 IGBT with Diode
IXSH10N60 High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
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參數(shù)描述
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IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP2N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
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