參數(shù)資料
型號(hào)： IXSP10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 589K
代理商： IXSP10N60B2D1
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
9V
11V
13V
15V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
CE
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
9V
7V
11V
13V
15V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
9V
11V
13V
15V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 10A
I
C
= 5A
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1
2
3
4
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
V
G E
- Volts
V
C
-
T
J
= 25
o
C
I
C
= 20A
10A
5A
Fig. 6. Input Admittance
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
6
7
8
9
V
G E
- Volts
10
11
12
13
14
I
C
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSH10N120AU1 IGBT with Diode
IXSH10N60 High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH10N60A High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH15N120A IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP2N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
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