參數(shù)資料
型號(hào)： IXSP10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 589K
代理商： IXSP10N60B2D1
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
Fig. 7. Transconductance
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 8. Dependence of Turn-off
Energy Loss on R
G
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 5A
T
J
= 125
o
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 10A
I
C
= 20A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy Loss on I
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
4
6
8
10
I
C
- Amperes
12
14
16
18
20
E
o
R
G
= 30
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 10. Dependence of Turn-off
Energy Loss on Temperature
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 20A
R
G
= 30
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 10A
I
C
= 5A
Fig. 11. Dependence of Turn-off
Switching Time on R
G
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550
R
G
- Ohms
S
I
C
= 5A
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 5A
Fig. 12. Dependence of Turn-off
Switching Time
on I
C
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
340
4
6
8
10
I
C
- Amperes
12
14
16
18
20
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 30
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
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PDF描述
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
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