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參數(shù)資料
| 型號： | K4E640411D-TC500 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁數(shù)： | 5/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | K4E640411D-TC500 |
CMOS DRAM
K4E660411D, K4E640411D
tDOH
HYPER PAGE READ CYCLE
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
A
VIH -
VIL -
W
VIH -
VIL -
OE
VIH -
VIL -
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDR
tRASP
tRP
tRCD
tASR
tCRP
Don
′t care
Undefined
VOH -
VOL -
DQ0 ~ DQ3(7)
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COLUMN
ADDRESS
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tASC
tCAH
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ADDRESS
COLUMN
ADDR
VALID
DATA-OUT
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DATA-OUT
VALID
DATA-OUT
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tREZ
tOEZ
tCAC
tOCH
tCPA
tCAC
VALID
DATA-OUT
ó
tASC
tAA
tRAL
tOEA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F640411C-TC500 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| K4F640412C-JC450 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 45 ns, PDSO32 |
| K4T1G044QC-ZCLE6 | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E640411D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412C-TL50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412C-TL60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D-TC50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 64M-Bit 16Mx4 3.3V 32-Pin TSOP-II |
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