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參數(shù)資料
| 型號： | K4R271669D-T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| 中文描述： | 128Mbit的RDRAM（深模） |
| 文件頁數(shù)： | 20/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | K4R271669D-T |
Page 18
Direct RDRAM
Preliminary
Version 1.0 Dec. 2001
K4R271669D
Center-Bonded Fanout Package
(54 Balls)
Figure 4 shows the form and dimensions of the recom-
mended package for the center-bonded Fanout CSP device
class.
Figure 4: Center-Bonded Fanout CSP Package
Table 19 lists the numerical values corresponding to dimen-
sions shown in Figure 4
5
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
6
4
3
2
D
A
e1
d
E
E1
e2
Top
Bottom
Bottom
Bottom
1
Table 19: Center-Bonded Fanout CSP Package Dimension
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
e1
Ball pitch (x-axis)
1.27
1.27
mm
e2
Ball pitch (y-axis)
1.27
1.27
mm
A
Package body length
11.9
12.1
mm
D
Package body width
11.7
11.9
mm
E
Package total thickness
-
1.25
mm
E1
Ball height
0.45
0.55
mm
d
Ball diameter
0.55
0.65
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4S160822D | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R271669D-TCS8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(E-die) |
| K4R271669F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4R271669F-RCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
| K4R271669F-TCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
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