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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R271669D-T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| 中文描述： | 128Mbit的RDRAM（深模） |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | K4R271669D-T |
Page 4
Direct RDRAM
Preliminary
Version 1.0 Dec. 2001
K4R271669D
Figure 2: 128Mbit(256Kx16x32s) Direct RDRAM Block Diagram
Bank 31
DQA7..DQA0
8
1
8
W
1
W
8
Bank 30
Bank 29
Bank 18
Bank 17
Bank 16
Bank 15
Bank 14
Bank 13
Bank 1
Bank 0
S
1
DQB7..DQB0
8
1:8 Demux
1:8 Demux
Packet Decode
COLC
5
3
ROW2..ROW0
COL4..COL0
CTM CTMN
CFM CFMN
2
SCK,CMD
RCLK
TCLK
Control Registers
DC
COP
S
C
BC
MA
MB
DX
XOP
M
BX
DR
R
ROP
AV
BR
8
8
6
5
5
5
5
5
6
9
5
5
11
Write
Buffer
Match
Match
Mux
Match
DM
DEVID
512x64x128
Internal DQB Data Path
Column Decode & Mask
PREC
64
8
8
64
8
REFR
Row Decode
Mux
ACT
RD, WR
Power Modes
DRAM Core
Mux
XOP Decode
PREX
8
8
8
8
64
8
8
8
PRER
COLX
COLM
2
SIO0,SIO1
Sense Amp
32x64
Internal DQA Data Path
Packet Decode
ROWR
ROWA
RCLK
RCLK
R
T
R
T
RQ7..RQ5 or
RQ4..RQ0 or
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
32x64
S
1
64
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
32x64
Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4S160822D | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R271669D-TCS8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(E-die) |
| K4R271669F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4R271669F-RCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
| K4R271669F-TCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
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