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參數(shù)資料
| 型號： | K4T1G084QQ-HC(L)F7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的調(diào)Q DDR2內(nèi)存芯片規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 18/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 891K |
| 代理商： | K4T1G084QQ-HC(L)F7 |
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K4T1G084QQ
K4T1G164QQ
Rev. 1.01 November 2007
DDR2 SDRAM
18 of 44
K4T1G044QQ
13.2 Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin
Speed
DDR2-800(E7)
DDR2-800(F7)
DDR2-667(E6)
Units
Bin (CL - tRCD - tRP)
5-5-5
6-6-6
5 - 5 - 5
Parameter
min
max
min
max
min
max
tCK, CL=3
5
8
-
-
5
8
ns
tCK, CL=4
3.75
8
3.75
8
3.75
8
ns
tCK, CL=5
2.5
8
3
8
3
8
ns
tCK, CL=6
-
-
2.5
8
-
-
ns
tRCD
12.5
-
15
-
15
-
ns
tRP
12.5
-
15
-
15
-
ns
tRC
57.5
-
60
-
60
-
ns
tRAS
45
70000
45
70000
45
70000
ns
Parameter
Symbol
DDR2-667
DDR2-800
Units
Min
Max
Min
Max
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
1.75
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
3.5
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
pF
13.0 Electrical Characteristics & AC Timing for DDR2-800/667
(0
°
C < T
OPER
< 95
°
C; V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
13.1 Refresh Parameters by Device Density
Parameter
Symbol
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
75
105
127.5
195
327.5
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
7.8
7.8
7.8
7.8
7.8
μ
s
3.9
3.9
3.9
3.9
3.9
μ
s
12.0 Input/Output capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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