參數(shù)資料
型號： K4T1G084QQ-HC(L)F7
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的調(diào)Q DDR2內(nèi)存芯片規(guī)格
文件頁數(shù)： 20/44頁
文件大?。?/td> 891K
代理商： K4T1G084QQ-HC(L)F7
K4T1G084QQ
K4T1G164QQ
Rev. 1.01 November 2007
DDR2 SDRAM
20 of 44
K4T1G044QQ
Parameter
Symbol
DDR2-800
DDR2-667
Units
Notes
min
max
min
max
ODT turn-on (Power-Down mode)
t
AONPD
tAC(min)+2
2tCK +
tAC(max)+1
tAC(min)+2
2tCK+tAC(ma
x)+1
ns
ODT turn-off delay
t
AOFD
2.5
2.5
2.5
2.5
tCK
ODT turn-off
t
AOF
tAC(min)
tAC(max)+
0.6
tAC(min)
tAC(max)+
0.6
ns
26
ODT turn-off (Power-Down mode)
t
AOFPD
tAC(min)+2
2.5tCK +
tAC(max)+1
tAC(min)+2
2.5tCK+tAC(
max)+1
ns
ODT to power down entry latency
tANPD
3
3
tCK
ODT power down exit latency
tAXPD
8
8
tCK
OCD drive mode output delay
tOIT
0
12
0
12
ns
Minimum time clocks remains ON after CKE asynchronously drops
LOW
tDelay
tIS+tCK +tIH
tIS+tCK +tIH
ns
24
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PDF描述
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