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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G084QQ-HC(L)F7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的調(diào)Q DDR2內(nèi)存芯片規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/44頁(yè) |
| 文件大小： | 891K |
| 代理商： | K4T1G084QQ-HC(L)F7 |
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K4T1G084QQ
K4T1G164QQ
Rev. 1.01 November 2007
DDR2 SDRAM
33 of 44
K4T1G044QQ
9.
tIS and tIH (input setup and hold) derating
Table 4 - Derating values for DDR2-400, DDR2-533
tIS,
tIH Derating Values for DDR2-400, DDR2-533
CK, CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
Units
Notes
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
Command/
Address Slew
rate(V/ns)
4.0
+187
+94
+217
+124
+247
+154
ps
1
3.5
+179
+89
+209
+119
+239
+149
ps
1
3.0
+167
+83
+197
+113
+227
+143
ps
1
2.5
+150
+75
+180
+105
+210
+135
ps
1
2.0
+125
+45
+155
+75
+185
+105
ps
1
1.5
+83
+21
+113
+51
+143
+81
ps
1
1.0
0
0
+30
+30
+60
+60
ps
1
0.9
-11
-14
+19
+16
+49
+46
ps
1
0.8
-25
-31
+5
-1
+35
+29
ps
1
0.7
-43
-54
-13
-24
+17
+6
ps
1
0.6
-67
-83
-37
-53
-7
-23
ps
1
0.5
-110
-125
-80
-95
-50
-65
ps
1
0.4
-175
-188
-145
-158
-115
-128
ps
1
0.3
-285
-292
-255
-262
-225
-232
ps
1
0.25
-350
-375
-320
-345
-290
-315
ps
1
0.2
-525
-500
-495
-470
-465
-440
ps
1
0.15
-800
-708
-770
-678
-740
-648
ps
1
0.1
-1450
-1125
-1420
-1095
-1390
-1065
ps
1
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