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參數(shù)資料
| 型號： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 38/42頁 |
| 文件大小： | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
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Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
5 of 42
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
NC
VSS
DQ6
VSSQ
LDM
VDDQ
VSSQ
LDQS
DQ7
DQ0
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ5
VSSDL
VDD
CK
RAS
CK
CAS
CS
A2
A6
A4
A11
A8
NC
A12
A9
A7
A5
A0
VDD
A10/AP
VSS
VDDQ
VSSQ
DQ1
DQ3
DQ4
VDDL
A1
A3
BA1
VREF
VSS
CKE
WE
BA0
VDD
VSS
VDD
NC
VSS
DQ14
VSSQ
UDM
VDDQ
VSSQ
DQ9
DQ11
DQ12
VDDQ
VSSQ
UDQS
DQ15
DQ8
VDDQ
DQ10
VSSQ
DQ13
NC
ODT
M
N
P
R
Note :
1. VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.
2. In case of only 8 DQs out of 16 DQs are used, LDQS, LDQSB and DQ0~7 must be used.
+
123
4567
89
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
+
M
N
P
R
+
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View
Ball Locations (x16)
(See the balls through the Package)
1
2
3
789
3.1 x16 package pinout (Top View) : 84ball FBGA Package
3.0 Package Pinout/Mechanical Dimension & Addressing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I12 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T56163QN | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
| K4T56163QN-HCE6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
| K4T56163QN-HCE6T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4T56163QN-ZCE6T00 | 制造商:Samsung 功能描述:256 SDRAM X16 - Tape and Reel |
| K4T56163QN-ZCE7000 | 制造商:Samsung 功能描述:DDR2 SDRAM 32MX16 47H32M16 PBF FBGA 1.8V PLASTIC 512M - Trays |
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