參數(shù)資料
型號： K9F1208R0B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： TV 99C 97#22D 2#8(TWINAX) SKT
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁數(shù)： 12/45頁
文件大小： 1029K
代理商： K9F1208R0B
FLASH MEMORY
12
K9F1208B0B
K9F1208U0B
K9F1208R0B
Preliminary
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions otherwise noted.)
NOTE
: VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for durations of 20 ns or less.
Parameter
Symbol
Test Conditions
K9F1208X0B
Unit
1.8V
2.7V
3.3V
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Operating
Current
Sequential Read
I
CC
1
tRC=50ns
(K9F1208R0B : 60ns),
CE=V
IL
I
OUT
=0mA
-
8
15
-
10
20
-
10
20
mA
Program
I
CC
2
-
-
8
15
-
10
20
-
10
20
Erase
I
CC
3
-
-
8
15
-
10
20
-
10
20
Stand-by Current(TTL)
I
SB
1
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
-
-
1
-
-
1
Stand-by Current(CMOS)
I
SB
2
CE=V
CC
-0.2, WP=0V/V
CC
-
10
50
-
10
50
-
10
50
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
-
-
±
10
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
-
-
±
10
Input High Voltage
V
IH*
I/O pins
V
CCQ
-0.4
-
V
CCQ
+0.3
V
CCQ
-0.4
-
V
CCQ
+0.3
2.0
-
V
CCQ
+0.3
V
Except I/O pins
V
CC
-0.4
-
V
CC
+0.3
V
CC
-0.4
-
V
CC
+0.3
2.0
-
V
CC
+0.3
Input Low Voltage, All
inputs
V
IL*
-
-0.3
-
0.4
-0.3
-
0.5
-0.3
-
0.8
Output High Voltage Level
V
OH
K9F1208R0B :I
OH
=-100
μ
A
K9F1208B0B :I
OH
=-100
μ
A
K9F1208U0B :I
OH
=-400
μ
A
V
CCQ
-0.1
-
-
V
CCQ
-0.4
-
-
2.4
-
-
Output Low Voltage Level
V
OL
K9F1208R0B :I
OL
=100uA
K9F1208B0B :I
OL
=100
μ
A
K9F1208U0B :I
OL
=2.1mA
-
-
0.1
-
-
0.4
-
-
0.4
Output Low Current(R/B)
I
OL
(R/B)
K9F1208R0B :V
OL
=0.1V
K9F1208B0B :V
OL
=0.1V
K9F1208U0B :V
OL
=0.4V
3
4
-
3
4
-
8
10
-
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1208B0B 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0M-YIB0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0M-YCB0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0M- 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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