參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G512
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM)
中文描述： 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲(chǔ)器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 30/49頁(yè)
文件大?。?/td> 934K
代理商： KM4132G512
KM4132G512
CMOS SGRAM
- 31
Rev. 2.2 (June 1998)
0
1
2
3
4
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7
8
9
10
11
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13
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16
17
18
19
*Note 3
Page Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
1. To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycle prior to write
command to avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input,
t
RDL
before Row precharge, will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
Read
(A-Bank)
t
RCD
*Note 2
*Note 1
t
CDL
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qa0
Qa1
Qb0
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Write
(A-Bank)
A
10
A
9
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Ra
Ca0
Cb0
Cc0
Cd0
Ra
DSF
t
RDL
*Note 2
: Don
′
t care
*Note :
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KM4132G512TQ-10 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100
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