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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/49頁 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
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KM4132G512
CMOS SGRAM
- 32
Rev. 2.2 (June 1998)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Block Write cycle(with Auto Precharge)
HIGH
Row Active with
Write-per-Bit
Enable
(A-Bank)
Masked
Block Write with
Auto Precharge
(A-Bank)
Block Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
1. Column Mask(DQi=L : Mask, DQi=H :Non Mask)
2. At Block Write, CA
0~2
are ignored.
Masked
Block Write
(A-Bank)
t
BWC
Block Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
A
10
A
9
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
CAa
CAb
CBa
CBb
RAa
DSF
RBa
RBa
DQ
Pixel
Pixel
Pixel
Pixel
*Note 1
*Note 2
*Note :
: Don
′
t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM416C1200C | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
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| KM4132G512TQ-10 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100 |
| KM41464A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE |
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