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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 39/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
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KM4132G512
CMOS SGRAM
- 40
Rev. 2.2 (June 1998)
0
1
2
3
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Read Interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle (@Full page Only)
HIGH
Row Active
(A-Bank)
1. At full page mode, burst is wrap-around at the end of burst. So auto precharge is impossible.
2. About the valid DQ
′
s after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1, 2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of "Full page write burst stop cycle".
*Note 1
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
1
2
1
2
A
10
A
9
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa4
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa4
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
QAb4
QAb5
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
QAb4
QAb5
RAa
CAa
CAb
RAa
*Note 1
DSF
*Note 2
: Don
′
t care
Burst Stop
*Note :
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1200C | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
| KM4132G512Q-8T | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KM4132G512TQ-10 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100 |
| KM41464A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE |
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